Memristorius – naujas elektronikos komponentas Spausdinti El. paštas
krotkaus_3.jpgJis yra atmintinės ir rezistoriaus derinys ir teoriškai buvo numatytas jau beveik prieš 40 metų. Dabar „Hewlett-Packard“ mokslininkai sukonstravo pirmąjį pasaulyje memristorių. Memristoriumi komponentas pavadintas nuo anglų kalbos žodžių atmintis (memory) ir varža (resistor). Kuomet šie komponentai bus pradėti naudoti pramonėje, realybe taps kompiuteriai, sunaudojantys kur kas mažiau energijos už dabartinius ir pradedantys dirbti iškart juos įjungus. „Hewlett-Packard“ sako, kad tuomet bus įmanoma sukurti žmogaus smegenis primenančias kompiuterines sistemas. Tačiau memristoriai yra lėtesni už šiandieninių kompiuterių atmintines.

Šio prietaiso teoriją dar prieš 37 metus suformulavo Berklio universiteto mokslininkas Leonas Chua. Nagrinėdamas ryšius tarp elektrinio krūvio ir srovių, tekančių varžomis, kondensatoriais ir indukcinėmis ritėmis, Chua įsitikino, kad visiškai simetrijai trūksta ketvirtojo komponento, kurį jis pavadino atminties varža. Jo nuomone, toks komponentas užtikrintų panašų ryšį tarp magnetinio srauto ir elektros krūvio, kokį varža duoda ryšiui tarp srovės ir įtampos. Realybėje tai reikštų, jog toks komponentas veiktų kaip varža, kurios dydis keistųsi priklausomai nuo per ją tekančios srovės stiprio ir kuri prisimintų tą dydį netgi tuomet, kai srovė išnyks.

Susidomėjimas memristoriumi atgijo iš naujo šiemet, kai R. S. Williamsas iš „Hewlett-Packard“ sukūrė pirmąjį eksperimentinį šio prietaiso pavyzdį. Šį prietaisą sudaro plonas (5 nm) titano dioksido sluoksnis, prie kurio per du elektrodus prijungiama elektros įtampa. Pradžioje vienoje sluoksnio dalyje yra šiek tiek mažiau deguonies.Trūkstant deguonies TiO2 gali judėti veikiant elektriniam laukui ir pernešti krūvį, todėl deguonies stokojančio sluoksnio varža bus daug mažesnė už nestokojančio sluoksnio varžą. Kuomet prijungiamas elektrinis laukas, deguonies vakansijos pradeda dreifuoti ir paslenka ribą tarp didžiavaržės ir mažavaržės sričių. Taigi bendra sluoksnio varža priklausys nuo to, kiek ir kuria kryptimi per jį pratekės elektros krūvio.

Nors „Hewlett-Packard“ mokslininkų pasiekimas elektros grandynų teorijai yra labai svarbus, dar teks nemažai nuveikti, kol memristoriaus sparta ir naudojami srovės tankiai pasieks realybėje naudojamas ribas. Žurnale „Nature“ paskelbto Williamso straipsnio grafikai gauti matuojant vos 1 Hz dažniu. Nors labai maži prietaiso matmenys lyg ir leistų tikėtis didesnės veikimo spartos, bet titano diokside krūvininkai juda be galo lėtai – jonų judris tėra vos 10–10 cm2/Vs. (silicio kristale elektronai ir skylės juda apie 1000 cm2/Vs judriu).

Parengė prof. Arūnas Krotkus

 
< Atgal   Pirmyn >